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ROHM Semicon US6M11TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | US6M11TR |
| Référence EBEE | E8559366 |
| Boîtier | TUMT-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 1.5A 600mΩ@0.3A 1W 1V@1mA 1 N-Channel + 1 P-Channel TUMT-6 MOSFETs ROHS |
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1985 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 5+ | $0.2175 | $ 1.0875 |
| 50+ | $0.1811 | $ 9.0550 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | ROHM US6M11TR | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.5A |
Guide d’achat
Développer
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| 150+ | $0.1655 | $ 24.8250 |
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