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ROHM Semicon EM6M2T2R
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EM6M2T2R |
| Référence EBEE | E8414246 |
| Boîtier | SOT-563(SOT-666) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 200mA 2.4Ω@1.2V,20mA 150mW 1V@1mA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1074 | $ 0.5370 |
| 50+ | $0.0880 | $ 4.4000 |
| 150+ | $0.0783 | $ 11.7450 |
| 500+ | $0.0710 | $ 35.5000 |
| 2500+ | $0.0573 | $ 143.2500 |
| 5000+ | $0.0543 | $ 271.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | ROHM EM6M2T2R | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF |
Guide d’achat
Développer
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| 500+ | $0.0710 | $ 35.5000 |
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