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onsemi NVJD4158CT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NVJD4158CT1G |
| Référence EBEE | E85205662 |
| Boîtier | SC-88-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 250mA 1Ω@4.5V,0.25A 270mW 0.8V@100uA SC-88-6 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.3895 | $ 3.8950 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | onsemi NVJD4158CT1G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7.25pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 270mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 250mA |
Guide d’achat
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