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onsemi NTJD4001NT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTJD4001NT1G |
| Référence EBEE | E8190019 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 250mA 272mW 1Ω@4.0V,10mA 1.2V@100uA 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0930 | $ 0.4650 |
| 50+ | $0.0741 | $ 3.7050 |
| 150+ | $0.0646 | $ 9.6900 |
| 500+ | $0.0576 | $ 28.8000 |
| 3000+ | $0.0465 | $ 139.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | onsemi NTJD4001NT1G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 272mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 250mA | |
| Output Capacitance(Coss) | 32pF |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0741 | $ 3.7050 |
| 150+ | $0.0646 | $ 9.6900 |
| 500+ | $0.0576 | $ 28.8000 |
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