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NXP Semicon A3G26H200W17SR3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | A3G26H200W17SR3 |
| Référence EBEE | E83288699 |
| Boîtier | NI-780S-4S2S |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | NI-780S-4S2S GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de nitrure de gallium (GaN) ,Transistors GaN (GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | NXP Semicon A3G26H200W17SR3 | |
| RoHS |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
