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NITRIDE YHJ-65P080DA
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YHJ-65P080DA |
| Référence EBEE | E837328928 |
| Boîtier | DFN-8(8x8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de nitrure de gallium (GaN) ,Transistors GaN (GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | NITRIDE YHJ-65P080DA | |
| RoHS |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
