Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
miracle MGZ18N65
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MGZ18N65 |
| Référence EBEE | E817702019 |
| Boîtier | DFN8x8-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | DFN8x8-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6663 | $ 0.6663 |
| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 30+ | $0.4780 | $ 14.3400 |
| 100+ | $0.4141 | $ 41.4100 |
| 500+ | $0.3768 | $ 188.4000 |
| 1000+ | $0.3581 | $ 358.1000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de nitrure de gallium (GaN) ,Transistors GaN (GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | miracle MGZ18N65 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 150mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 598pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6663 | $ 0.6663 |
| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 30+ | $0.4780 | $ 14.3400 |
| 100+ | $0.4141 | $ 41.4100 |
| 500+ | $0.3768 | $ 188.4000 |
| 1000+ | $0.3581 | $ 358.1000 |
