| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM50H14FT3G |
| Référence EBEE | E85948976 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 26A 168mΩ@10V,13A 208W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $216.6269 | $ 216.6269 |
| 200+ | $86.4361 | $ 17287.2200 |
| 500+ | $83.5487 | $ 41774.3500 |
| 1000+ | $82.1215 | $ 82121.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM50H14FT3G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 4 N-channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 26A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 168mΩ@10V,13A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 208W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@1mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.259nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 72nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $216.6269 | $ 216.6269 |
| 200+ | $86.4361 | $ 17287.2200 |
| 500+ | $83.5487 | $ 41774.3500 |
| 1000+ | $82.1215 | $ 82121.5000 |
