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Microchip Tech APTM50H10FT3G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM50H10FT3G |
| Référence EBEE | E817536902 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 37A 120mΩ@10V,18.5A 312W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 4 N-channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 37A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 120mΩ@10V,18.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 312W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@1mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.367nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 96nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
