| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM50AM24SG |
| Référence EBEE | E817597562 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 150A 1.25kW 28mΩ@10V,75A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $907.7681 | $ 907.7681 |
| 200+ | $362.2068 | $ 72441.3600 |
| 500+ | $350.1024 | $ 175051.2000 |
| 1000+ | $344.1227 | $ 344122.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM50AM24SG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 150A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 28mΩ@10V,75A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.25kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@6mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 19.6nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 434nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $907.7681 | $ 907.7681 |
| 200+ | $362.2068 | $ 72441.3600 |
| 500+ | $350.1024 | $ 175051.2000 |
| 1000+ | $344.1227 | $ 344122.7000 |
