| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM20HM08FG |
| Référence EBEE | E817314436 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 208A 10mΩ@10V,104A 781W 5V@5mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,268.1441 | $ 1268.1441 |
| 200+ | $505.9983 | $ 101199.6600 |
| 500+ | $489.0899 | $ 244544.9500 |
| 1000+ | $480.7342 | $ 480734.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 4 N-channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 208A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,104A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 781W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@5mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 14.4nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 280nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,268.1441 | $ 1268.1441 |
| 200+ | $505.9983 | $ 101199.6600 |
| 500+ | $489.0899 | $ 244544.9500 |
| 1000+ | $480.7342 | $ 480734.2000 |
