| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM20DUM05G |
| Référence EBEE | E85569628 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 317A 1.136kW 6mΩ@10V,158.5A 3V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM20DUM05G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 317A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 6mΩ@10V,158.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.136kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@10mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 27.4nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 448nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
