| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM20AM06SG |
| Référence EBEE | E817330978 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 300A 1.25kW 7.2mΩ@10V,150A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,016.9766 | $ 1016.9766 |
| 200+ | $405.7814 | $ 81156.2800 |
| 500+ | $392.2210 | $ 196110.5000 |
| 1000+ | $385.5217 | $ 385521.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 300A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 7.2mΩ@10V,150A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.25kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@6mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 18.5nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 325nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,016.9766 | $ 1016.9766 |
| 200+ | $405.7814 | $ 81156.2800 |
| 500+ | $392.2210 | $ 196110.5000 |
| 1000+ | $385.5217 | $ 385521.7000 |
