| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM20AM05FG |
| Référence EBEE | E817481840 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 317A 1.136kW 5mΩ@10V,158.5A 5V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $891.9171 | $ 891.9171 |
| 200+ | $355.8820 | $ 71176.4000 |
| 500+ | $343.9885 | $ 171994.2500 |
| 1000+ | $338.1132 | $ 338113.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 317A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5mΩ@10V,158.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.136kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@10mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 27.4nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 448nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $891.9171 | $ 891.9171 |
| 200+ | $355.8820 | $ 71176.4000 |
| 500+ | $343.9885 | $ 171994.2500 |
| 1000+ | $338.1132 | $ 338113.2000 |
