| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM20AM04FG |
| Référence EBEE | E817597428 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 372A 1.25kW 5mΩ@10V,186A 5V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,085.8659 | $ 1085.8659 |
| 200+ | $433.2681 | $ 86653.6200 |
| 500+ | $418.7898 | $ 209394.9000 |
| 1000+ | $411.6358 | $ 411635.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 372A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5mΩ@10V,186A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.25kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@10mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 28.9nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 560nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,085.8659 | $ 1085.8659 |
| 200+ | $433.2681 | $ 86653.6200 |
| 500+ | $418.7898 | $ 209394.9000 |
| 1000+ | $411.6358 | $ 411635.8000 |
