| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM10DUM02G |
| Référence EBEE | E817542892 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 495A 2.5mΩ@10V,200A 1.25kW 4V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $976.9815 | $ 976.9815 |
| 200+ | $389.8224 | $ 77964.4800 |
| 500+ | $376.7967 | $ 188398.3500 |
| 1000+ | $370.3588 | $ 370358.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 495A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.25kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@10mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 40nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 1.36uC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $976.9815 | $ 976.9815 |
| 200+ | $389.8224 | $ 77964.4800 |
| 500+ | $376.7967 | $ 188398.3500 |
| 1000+ | $370.3588 | $ 370358.8000 |
