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Microchip Tech APTM100H35FT3G


Fabricant
Référence Fabricant
APTM100H35FT3G
Référence EBEE
E817426965
Boîtier
-
Numéro Client
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
1kV 22A 420mΩ@10V,11A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS
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Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$372.9141$ 372.9141
200+$148.7960$ 29759.2000
500+$143.8230$ 71911.5000
1000+$141.3670$ 141367.0000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays
RoHS
Température de fonctionnement-40℃~+150℃@(Tj)
Type4 N-channel
ConfigurationHalf Bridge
Tension de source de égout (Vdss)1kV
Courant de drainage continu (Id)22A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)420mΩ@10V,11A
Dissipation de puissance (Pd)390W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)[email protected]
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)5.2nF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)186nC@10V

Guide d’achat

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