| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM100A18FTG |
| Référence EBEE | E817274170 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1kV 43A 210mΩ@10V,21.5A 780W 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $713.0860 | $ 713.0860 |
| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 43A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 210mΩ@10V,21.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 780W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@5mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 10.4nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 372nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $713.0860 | $ 713.0860 |
| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
