| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTC60HM70RT3G |
| Référence EBEE | E817647141 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 39A 250W 70mΩ@10V,39A [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2492 | $ 316.2492 |
| 200+ | $126.1865 | $ 25237.3000 |
| 500+ | $121.9695 | $ 60984.7500 |
| 1000+ | $119.8861 | $ 119886.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTC60HM70RT3G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 4 N-channel | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 39A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 70mΩ@10V,39A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 7nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 259nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2492 | $ 316.2492 |
| 200+ | $126.1865 | $ 25237.3000 |
| 500+ | $121.9695 | $ 60984.7500 |
| 1000+ | $119.8861 | $ 119886.1000 |
