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Infineon Technologies IRF7341TRPBF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF7341TRPBF |
| Référence EBEE | E821791 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 4.7A 2W 0.05Ω@10V,4.7A 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| 5+ | $0.3534 | $ 1.7670 |
| 50+ | $0.2909 | $ 14.5450 |
| 150+ | $0.2641 | $ 39.6150 |
| 500+ | $0.1907 | $ 95.3500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | Infineon IRF7341TRPBF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 71pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A |
Guide d’achat
Développer
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