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Diodes Incorporated DMN33D8LDW-7
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DMN33D8LDW-7 |
| Référence EBEE | E8444976 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 250mA 2.4Ω@10V,250mA 350mW 1.5V@100uA 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0741 | $ 0.3705 |
| 50+ | $0.0722 | $ 3.6100 |
| 150+ | $0.0710 | $ 10.6500 |
| 500+ | $0.0698 | $ 34.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | DIODES DMN33D8LDW-7 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 250mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,250mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 350mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@100uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 48pF@5V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 1.23nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0741 | $ 0.3705 |
| 50+ | $0.0722 | $ 3.6100 |
| 150+ | $0.0710 | $ 10.6500 |
| 500+ | $0.0698 | $ 34.9000 |
