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Diodes Incorporated BSS8402DW-7-F
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSS8402DW-7-F |
| Référence EBEE | E8156386 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 130mA 10Ω@5V,130mA 200mW 2V@1mA 1 N-Channel + 1 P-Channel SC-70-6(SOT-363) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0728 | $ 0.7280 |
| 100+ | $0.0591 | $ 5.9100 |
| 300+ | $0.0522 | $ 15.6600 |
| 3000+ | $0.0471 | $ 141.3000 |
| 6000+ | $0.0430 | $ 258.0000 |
| 9000+ | $0.0409 | $ 368.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | DIODES BSS8402DW-7-F | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130mA | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0728 | $ 0.7280 |
| 100+ | $0.0591 | $ 5.9100 |
| 300+ | $0.0522 | $ 15.6600 |
| 3000+ | $0.0471 | $ 141.3000 |
| 6000+ | $0.0430 | $ 258.0000 |
| 9000+ | $0.0409 | $ 368.1000 |
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