GaN Transistoren (GaN HEMT)
Hersteller
- HXY MOSFET
Gehäuse
- DFN-8(8x8)
- DFN-8L(5x6)
Reise Current
- 75W
Drain Source On-State-Widerstand
- -
Drain Quelle Aufschlüsselung
- -
- 160mΩ
Drain Quelle On-State Resistance(8V)
- -
Technische Route
- -
Transistortyp
- -
Dauerstrom
- 1 N-Channel
Tor Schwellenspannungen200b
- 10A
Reverse Transfer Capacitance
- 650V
Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
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Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | EBEE-Teilenr. | Hersteller | Produktname | Beschreibung | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $2.7944 10+ $2.4046 30+ $2.1726 100+ $1.9393 | Min.: 1 Mult.: 1 | 218 Auf Lager | HCG65140DAA | E822396444 | HXY MOSFET | HXY MOSFET HCG65140DAA | - | - | DFN-8(8x8) | Tape & Reel (TR) | |
1+ $2.9539 10+ $2.5440 30+ $2.3008 100+ $2.0550 | Min.: 1 Mult.: 1 | 87 Auf Lager | HCG65140DBA | E822396445 | HXY MOSFET | HXY MOSFET HCG65140DBA | - | - | DFN-8L(5x6) | Tape & Reel (TR) | |
1+ $4.2879 10+ $3.7189 30+ $3.1313 100+ $2.8401 | Min.: 1 Mult.: 1 | 188 Auf Lager | HIGLD60R190D1 | E841426365 | HXY MOSFET | HXY MOSFET HIGLD60R190D1 | - | - | DFN-8(8x8) | Tape & Reel (TR) | |
1+ $3.4184 10+ $2.9220 30+ $2.6277 100+ $2.3289 | Min.: 1 Mult.: 1 | 73 Auf Lager | HCG65200DBA | E822396443 | HXY MOSFET | HXY MOSFET HCG65200DBA | - | - | DFN-8L(5x6) | Tape & Reel (TR) | |
1+ $2.7225 10+ $2.3276 30+ $2.0925 100+ $1.8552 | Min.: 1 Mult.: 1 | 5 Auf Lager | HCG65200DAA | E822396442 | HXY MOSFET | HXY MOSFET HCG65200DAA | - | - | DFN-8(8x8) | Tape & Reel (TR) |
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