Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
TOSHIBA RN1106MFV,L3F
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | RN1106MFV,L3F |
| رقم قطعة EBEE | E85349733 |
| الحزمة | SOT-723 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80@10mA,5V 1 NPN - bias preset 150mW 100mA 50V SOT-723 Digital Transistors ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر: 5
الحد الأدنى: 5المضاعفات: 5
سعر الوحدة
$ 0.3264
السعر الإجمالي
$ 1.6320
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3264 | $ 1.6320 |
| 50+ | $0.2657 | $ 13.2850 |
| 150+ | $0.2397 | $ 35.9550 |
| 500+ | $0.2072 | $ 103.6000 |
| 2500+ | $0.1927 | $ 481.7500 |
| 5000+ | $0.1841 | $ 920.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,التراتسوانية الرقمية | |
| ورقة البيانات | TOSHIBA RN1106MFV,L3F | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| نوع الترانستور | 1 NPN - bias preset | |
| جامع الحالي (Ic) | 100mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 150mW | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 80@10mA,5V | |
| مقاومة الإدخال | 4.7kΩ | |
| نسبة الم مقاومة | 10 | |
| جهد الإدخال (VI (on)@Ic,Vce) | 0.7V@5mA,0.2V | |
| جهد الإدخال (VI (off)@Ic,Vce) | [email protected],5V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر: 5
الحد الأدنى: 5المضاعفات: 5
سعر الوحدة
$ 0.3264
السعر الإجمالي
$ 1.6320
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3264 | $ 1.6320 |
| 50+ | $0.2657 | $ 13.2850 |
| 150+ | $0.2397 | $ 35.9550 |
| 500+ | $0.2072 | $ 103.6000 |
| 2500+ | $0.1927 | $ 481.7500 |
| 5000+ | $0.1841 | $ 920.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
