Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
ROHM Semicon DTA044EUBTL
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | DTA044EUBTL |
| رقم قطعة EBEE | E85336564 |
| الحزمة | SOT-323FL |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80@5mA,10V 1 PNP pre-bias 200mW 100mA 50V SOT-323FL Digital Transistors ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر: 15
الحد الأدنى: 5المضاعفات: 5
سعر الوحدة
$ 0.3847
السعر الإجمالي
$ 1.9235
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3847 | $ 1.9235 |
| 50+ | $0.3131 | $ 15.6550 |
| 150+ | $0.2824 | $ 42.3600 |
| 500+ | $0.2441 | $ 122.0500 |
| 3000+ | $0.2271 | $ 681.3000 |
| 6000+ | $0.2170 | $ 1302.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,التراتسوانية الرقمية | |
| ورقة البيانات | ROHM Semicon DTA044EUBTL | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+150℃ | |
| نوع الترانستور | 1 PNP pre-bias | |
| جامع الحالي (Ic) | 100mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 200mW | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 80@5mA,10V | |
| جهد الإخراج (VO(on)@Io/Ii) | 150mV@5mA,0.5mA | |
| مقاومة الإدخال | 47kΩ | |
| نسبة الم مقاومة | 1 | |
| جهد الإدخال (VI (on)@Ic,Vce) | 3V@2mA,0.3V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر: 15
الحد الأدنى: 5المضاعفات: 5
سعر الوحدة
$ 0.3847
السعر الإجمالي
$ 1.9235
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3847 | $ 1.9235 |
| 50+ | $0.3131 | $ 15.6550 |
| 150+ | $0.2824 | $ 42.3600 |
| 500+ | $0.2441 | $ 122.0500 |
| 3000+ | $0.2271 | $ 681.3000 |
| 6000+ | $0.2170 | $ 1302.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
