Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Nexperia PUMD3,135
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | PUMD3,135 |
| رقم قطعة EBEE | E8553518 |
| الحزمة | SOT-363 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 30@5mA,5V 1 NPN Pre-biased, 1 PNP Pre-biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0892 | $ 0.4460 |
| 50+ | $0.0723 | $ 3.6150 |
| 150+ | $0.0638 | $ 9.5700 |
| 500+ | $0.0575 | $ 28.7500 |
| 2500+ | $0.0524 | $ 131.0000 |
| 5000+ | $0.0499 | $ 249.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,التراتسوانية الرقمية | |
| ورقة البيانات | Nexperia PUMD3,135 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| نوع الترانستور | 1 NPN Pre-biased, 1 PNP Pre-biased | |
| جامع الحالي (Ic) | 100mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 300mW | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 30@5mA,5V | |
| جهد الإخراج (VO(on)@Io/Ii) | - | |
| مقاومة الإدخال | 10kΩ | |
| نسبة الم مقاومة | 1 | |
| جهد الإدخال (VI (on)@Ic,Vce) | 1.8V@10mA,0.3V | |
| جهد الإدخال (VI (off)@Ic,Vce) | 1.1V@100uA,5V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0892 | $ 0.4460 |
| 50+ | $0.0723 | $ 3.6150 |
| 150+ | $0.0638 | $ 9.5700 |
| 500+ | $0.0575 | $ 28.7500 |
| 2500+ | $0.0524 | $ 131.0000 |
| 5000+ | $0.0499 | $ 249.5000 |
