Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
onsemi SMMUN2113LT1G
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SMMUN2113LT1G |
| رقم قطعة EBEE | E8894363 |
| الحزمة | SOT-23-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | [email protected],10V 246mW 100mA 50V SOT-23-3 Digital Transistors ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر: 2485
الحد الأدنى: 5المضاعفات: 5
سعر الوحدة
$ 0.1041
السعر الإجمالي
$ 0.5205
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1041 | $ 0.5205 |
| 50+ | $0.0858 | $ 4.2900 |
| 150+ | $0.0767 | $ 11.5050 |
| 500+ | $0.0699 | $ 34.9500 |
| 3000+ | $0.0618 | $ 185.4000 |
| 6000+ | $0.0590 | $ 354.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,التراتسوانية الرقمية | |
| ورقة البيانات | onsemi SMMUN2113LT1G | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| نوع الترانستور | - | |
| جامع الحالي (Ic) | 100mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 246mW | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | [email protected],10V | |
| جهد الإخراج (VO(on)@Io/Ii) | 200mV | |
| مقاومة الإدخال | 47kΩ | |
| نسبة الم مقاومة | 1 | |
| جهد الإدخال (VI (on)@Ic,Vce) | [email protected],0.3V | |
| جهد الإدخال (VI (off)@Ic,Vce) | 1.2V@100uA,5.0V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر: 2485
الحد الأدنى: 5المضاعفات: 5
سعر الوحدة
$ 0.1041
السعر الإجمالي
$ 0.5205
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1041 | $ 0.5205 |
| 50+ | $0.0858 | $ 4.2900 |
| 150+ | $0.0767 | $ 11.5050 |
| 500+ | $0.0699 | $ 34.9500 |
| 3000+ | $0.0618 | $ 185.4000 |
| 6000+ | $0.0590 | $ 354.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
