Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Nexperia PUMD13,135
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | PUMD13,135 |
| رقم قطعة EBEE | E8553506 |
| الحزمة | SOT-363 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100@10mA,5V 1 NPN Pre-biased, 1 PNP Pre-biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1355 | $ 0.1355 |
| 10+ | $0.1190 | $ 1.1900 |
| 30+ | $0.1120 | $ 3.3600 |
| 100+ | $0.1033 | $ 10.3300 |
| 500+ | $0.0994 | $ 49.7000 |
| 1000+ | $0.0971 | $ 97.1000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,التراتسوانية الرقمية | |
| ورقة البيانات | Nexperia PUMD13,135 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+150℃ | |
| نوع الترانستور | 1 NPN Pre-biased, 1 PNP Pre-biased | |
| جامع الحالي (Ic) | 100mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 300mW | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 100@10mA,5V | |
| جهد الإخراج (VO(on)@Io/Ii) | - | |
| مقاومة الإدخال | 4.7kΩ | |
| نسبة الم مقاومة | 10 | |
| جهد الإدخال (VI (on)@Ic,Vce) | 900mV@5mA,0.3V | |
| جهد الإدخال (VI (off)@Ic,Vce) | 500mV@100uA,5V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1355 | $ 0.1355 |
| 10+ | $0.1190 | $ 1.1900 |
| 30+ | $0.1120 | $ 3.3600 |
| 100+ | $0.1033 | $ 10.3300 |
| 500+ | $0.0994 | $ 49.7000 |
| 1000+ | $0.0971 | $ 97.1000 |
