Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Diodes Incorporated DDTC114EUA-7-F
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | DDTC114EUA-7-F |
| رقم قطعة EBEE | E8177021 |
| الحزمة | SOT-323-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 30@5mA,5V 200mW 100mA 50V SOT-323-3 Digital Transistors ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر: 19931
الحد الأدنى: 20المضاعفات: 20
سعر الوحدة
$ 0.0229
السعر الإجمالي
$ 0.4580
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0229 | $ 0.4580 |
| 200+ | $0.0200 | $ 4.0000 |
| 600+ | $0.0184 | $ 11.0400 |
| 3000+ | $0.0175 | $ 52.5000 |
| 9000+ | $0.0167 | $ 150.3000 |
| 21000+ | $0.0162 | $ 340.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,التراتسوانية الرقمية | |
| ورقة البيانات | Diodes Incorporated DDTC114EUA-7-F | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| نوع الترانستور | - | |
| جامع الحالي (Ic) | 100mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 200mW | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 30@5mA,5V | |
| جهد الإخراج (VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| مقاومة الإدخال | 0.18Ω | |
| نسبة الم مقاومة | 1 | |
| جهد الإدخال (VI (on)@Ic,Vce) | 1.9V@10mA,0.3V | |
| جهد الإدخال (VI (off)@Ic,Vce) | 1.1V@100uA,5V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر: 19931
الحد الأدنى: 20المضاعفات: 20
سعر الوحدة
$ 0.0229
السعر الإجمالي
$ 0.4580
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0229 | $ 0.4580 |
| 200+ | $0.0200 | $ 4.0000 |
| 600+ | $0.0184 | $ 11.0400 |
| 3000+ | $0.0175 | $ 52.5000 |
| 9000+ | $0.0167 | $ 150.3000 |
| 21000+ | $0.0162 | $ 340.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
