Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212080NCTG1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | YJD212080NCTG1 |
| EBEE Parça No. | E820605692 |
| Paket | TO-247 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>25 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
25 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5218 | $ 6.5218 |
| 10+ | $5.6604 | $ 56.6040 |
| 30+ | $5.1367 | $ 154.1010 |
| 90+ | $4.6965 | $ 422.6850 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212080NCTG1 | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 80mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+175℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 220W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 890pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
25 Stock for Shipping Fast
25 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5218 | $ 6.5218 |
| 10+ | $5.6604 | $ 56.6040 |
| 30+ | $5.1367 | $ 154.1010 |
| 90+ | $4.6965 | $ 422.6850 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
