Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
onsemi NTH4L045N065SC1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | NTH4L045N065SC1 |
| EBEE Parça No. | E82902168 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $14.6365 | $ 14.6365 |
| 10+ | $13.9832 | $ 139.8320 |
| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | onsemi NTH4L045N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Output Capacitance(Coss) | 162pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $14.6365 | $ 14.6365 |
| 10+ | $13.9832 | $ 139.8320 |
| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
