Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle

Tokmas CI90N120SM


Üretici
Üretici Parça No.
CI90N120SM
EBEE Parça No.
E85364636
Paket
TO-247-3
Müşteri No.
Veri Sayfası
EDA Modelleri
Açıklama
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>
66 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
66 hemen kargoya verilebilir
1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
AdetBirim FiyatToplam Fiyat
1+$8.5656$ 8.5656
10+$7.4003$ 74.0030
30+$6.6858$ 200.5740
90+$6.0857$ 547.7130
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
TürAçıklama
Tümünü Seç
KategoriSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Veri SayfasıTokmas CI90N120SM
RoHS
TypeN-Channel
Configuration-
RDS(on)27mΩ@20V
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)42.8pF
Pd - Power Dissipation463W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)90A
Ciss-Input Capacitance4.7nF
Output Capacitance(Coss)231pF
Gate Charge(Qg)164nC

Alışveriş Rehberi

Genişlet