Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Tokmas CI60N120SM4
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | CI60N120SM4 |
| EBEE Parça No. | E82980704 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| Açıklama | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>146 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
146 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2948 | $ 4.2948 |
| 10+ | $3.6994 | $ 36.9940 |
| 30+ | $3.1881 | $ 95.6430 |
| 90+ | $2.8309 | $ 254.7810 |
| 510+ | $2.6642 | $ 1358.7420 |
| 1020+ | $2.5896 | $ 2641.3920 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Tokmas CI60N120SM4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 45mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 29pF | |
| Pd - Power Dissipation | 330W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
146 Stock for Shipping Fast
146 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2948 | $ 4.2948 |
| 10+ | $3.6994 | $ 36.9940 |
| 30+ | $3.1881 | $ 95.6430 |
| 90+ | $2.8309 | $ 254.7810 |
| 510+ | $2.6642 | $ 1358.7420 |
| 1020+ | $2.5896 | $ 2641.3920 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
