Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Tokmas CI30N65SM
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | CI30N65SM |
| EBEE Parça No. | E83010930 |
| Paket | TO-247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>44 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
44 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8534 | $ 3.8534 |
| 10+ | $3.3088 | $ 33.0880 |
| 30+ | $3.0786 | $ 92.3580 |
| 90+ | $2.7499 | $ 247.4910 |
| 510+ | $2.5991 | $ 1325.5410 |
| 1020+ | $2.5308 | $ 2581.4160 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Tokmas CI30N65SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 77pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
44 Stock for Shipping Fast
44 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8534 | $ 3.8534 |
| 10+ | $3.3088 | $ 33.0880 |
| 30+ | $3.0786 | $ 92.3580 |
| 90+ | $2.7499 | $ 247.4910 |
| 510+ | $2.5991 | $ 1325.5410 |
| 1020+ | $2.5308 | $ 2581.4160 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
