Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
SUPSiC GC3M0040120K
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | GC3M0040120K |
| EBEE Parça No. | E87435054 |
| Paket | TO-247-4 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>219 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
219 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.8859 | $ 6.8859 |
| 10+ | $6.0238 | $ 60.2380 |
| 30+ | $5.3855 | $ 161.5650 |
| 90+ | $4.9441 | $ 444.9690 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | SUPSiC GC3M0040120K | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| Yapılandırma | - | |
| RDS (on) | 40mΩ@15V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -40℃~+175℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 66A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 103pF | |
| Gate Charge(Qg) | 164nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
219 Stock for Shipping Fast
219 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.8859 | $ 6.8859 |
| 10+ | $6.0238 | $ 60.2380 |
| 30+ | $5.3855 | $ 161.5650 |
| 90+ | $4.9441 | $ 444.9690 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
