Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
SUPSiC GC3M0015065K
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | GC3M0015065K |
| EBEE Parça No. | E87435028 |
| Paket | TO-247-4 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>195 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
195 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0110 | $ 12.0110 |
| 10+ | $10.3984 | $ 103.9840 |
| 30+ | $9.0130 | $ 270.3900 |
| 90+ | $8.1900 | $ 737.1000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | SUPSiC GC3M0015065K | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 15mΩ@15V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -40℃~+175℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.011nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
195 Stock for Shipping Fast
195 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0110 | $ 12.0110 |
| 10+ | $10.3984 | $ 103.9840 |
| 30+ | $9.0130 | $ 270.3900 |
| 90+ | $8.1900 | $ 737.1000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
