Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
SUPSiC GC2M0080120D
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | GC2M0080120D |
| EBEE Parça No. | E87435046 |
| Paket | TO247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>411 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
411 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7790 | $ 4.7790 |
| 10+ | $4.1963 | $ 41.9630 |
| 30+ | $3.3501 | $ 100.5030 |
| 90+ | $2.9992 | $ 269.9280 |
| 600+ | $2.8373 | $ 1702.3800 |
| 900+ | $2.7642 | $ 2487.7800 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | SUPSiC GC2M0080120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 80mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
411 Stock for Shipping Fast
411 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7790 | $ 4.7790 |
| 10+ | $4.1963 | $ 41.9630 |
| 30+ | $3.3501 | $ 100.5030 |
| 90+ | $2.9992 | $ 269.9280 |
| 600+ | $2.8373 | $ 1702.3800 |
| 900+ | $2.7642 | $ 2487.7800 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
