Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
SUPSiC GC2M0045170D
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | GC2M0045170D |
| EBEE Parça No. | E87435058 |
| Paket | TO247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>111 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
111 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $21.4516 | $ 21.4516 |
| 3+ | $19.9633 | $ 59.8899 |
| 30+ | $18.9710 | $ 569.1300 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | SUPSiC GC2M0045170D | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| Yapılandırma | - | |
| RDS (on) | 45mΩ@20V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -40℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.672nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 176pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
111 Stock for Shipping Fast
111 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $21.4516 | $ 21.4516 |
| 3+ | $19.9633 | $ 59.8899 |
| 30+ | $18.9710 | $ 569.1300 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
