Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | SCTWA90N65G2V-4 |
| EBEE Parça No. | E83281049 |
| Paket | HiP247-4 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>1 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
1 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $35.8544 | $ 35.8544 |
| 3+ | $32.4481 | $ 97.3443 |
| 30+ | $30.8790 | $ 926.3700 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 24mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+200℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 49pF | |
| Pd - Power Dissipation | 565W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 119A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 294pF | |
| Gate Charge(Qg) | 157nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
1 Stock for Shipping Fast
1 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $35.8544 | $ 35.8544 |
| 3+ | $32.4481 | $ 97.3443 |
| 30+ | $30.8790 | $ 926.3700 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
