| Üretici | |
| Üretici Parça No. | SCTWA35N65G2V |
| EBEE Parça No. | E83281008 |
| Paket | TO-247 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $15.2855 | $ 15.2855 |
| 10+ | $14.6019 | $ 146.0190 |
| 30+ | $13.4207 | $ 402.6210 |
| 100+ | $12.3890 | $ 1238.9000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | STMicroelectronics SCTWA35N65G2V | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+200℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $15.2855 | $ 15.2855 |
| 10+ | $14.6019 | $ 146.0190 |
| 30+ | $13.4207 | $ 402.6210 |
| 100+ | $12.3890 | $ 1238.9000 |
