Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | SCTW40N120G2VAG |
| EBEE Parça No. | E8472655 |
| Paket | HiP-247 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>1 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
1 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8160 | $ 23.8160 |
| 10+ | $23.0969 | $ 230.9690 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 105mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+200℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 290W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
1 Stock for Shipping Fast
1 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8160 | $ 23.8160 |
| 10+ | $23.0969 | $ 230.9690 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
