Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | SCTW35N65G2VAG |
| EBEE Parça No. | E83281062 |
| Paket | TO-247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>3 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
3 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $21.7765 | $ 21.7765 |
| 10+ | $20.8392 | $ 208.3920 |
| 30+ | $19.2147 | $ 576.4410 |
| 100+ | $17.7961 | $ 1779.6100 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+200℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $21.7765 | $ 21.7765 |
| 10+ | $20.8392 | $ 208.3920 |
| 30+ | $19.2147 | $ 576.4410 |
| 100+ | $17.7961 | $ 1779.6100 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
