Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | SCTH35N65G2V-7 |
| EBEE Parça No. | E82970626 |
| Paket | H2PAK-7 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | H2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
| 10+ | $11.1327 | $ 111.3270 |
| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7 | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+175℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
| 10+ | $11.1327 | $ 111.3270 |
| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
