Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Sichainsemi SG2M040120L
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | SG2M040120L |
| EBEE Parça No. | E837636037 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>90 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
90 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
| 510+ | $3.3707 | $ 1719.0570 |
| 990+ | $3.2723 | $ 3239.5770 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Sichainsemi SG2M040120L | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 52mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 268W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 62A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.171nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 109pF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
90 Stock for Shipping Fast
90 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
| 510+ | $3.3707 | $ 1719.0570 |
| 990+ | $3.2723 | $ 3239.5770 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
