15% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Sichainsemi S1P14R120HSE-A
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | S1P14R120HSE-A |
| EBEE Parça No. | E837636089 |
| Paket | SOT-227 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>29 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
29 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $18.9414 | $ 18.9414 |
| 30+ | $17.9887 | $ 539.6610 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Sichainsemi S1P14R120HSE-A | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF | |
| Pd - Power Dissipation | 349W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.521nF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
29 Stock for Shipping Fast
29 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $18.9414 | $ 18.9414 |
| 30+ | $17.9887 | $ 539.6610 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
