15% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Sichainsemi S1M075120J2
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | S1M075120J2 |
| EBEE Parça No. | E822363611 |
| Paket | TO-263-7L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | None |
| Açıklama | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>86 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
86 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Sichainsemi S1M075120J2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 169W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 39A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
86 Stock for Shipping Fast
86 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
