20% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Sichainsemi S1M040120D
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | S1M040120D |
| EBEE Parça No. | E822363606 |
| Paket | TO-247-3L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | None |
| Açıklama | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>321 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
321 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Sichainsemi S1M040120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 32mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 73A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.159nF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
321 Stock for Shipping Fast
321 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
