25% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Sichainsemi S1M014120H
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | S1M014120H |
| EBEE Parça No. | E822363603 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | None |
| Açıklama | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>283 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
283 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $9.3643 | $ 9.3643 |
| 10+ | $8.1282 | $ 81.2820 |
| 30+ | $7.3745 | $ 221.2350 |
| 90+ | $6.7422 | $ 606.7980 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Sichainsemi S1M014120H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 14mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 625W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 152A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.469nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
283 Stock for Shipping Fast
283 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $9.3643 | $ 9.3643 |
| 10+ | $8.1282 | $ 81.2820 |
| 30+ | $7.3745 | $ 221.2350 |
| 90+ | $6.7422 | $ 606.7980 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
