Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
onsemi NVH4L040N120M3S
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | NVH4L040N120M3S |
| EBEE Parça No. | E819673852 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>211 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
211 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.9618 | $ 13.9618 |
| 10+ | $13.7514 | $ 137.5140 |
| 30+ | $13.3882 | $ 401.6460 |
| 90+ | $13.0718 | $ 1176.4620 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | onsemi NVH4L040N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 54mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 231W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 54A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
211 Stock for Shipping Fast
211 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.9618 | $ 13.9618 |
| 10+ | $13.7514 | $ 137.5140 |
| 30+ | $13.3882 | $ 401.6460 |
| 90+ | $13.0718 | $ 1176.4620 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
