Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
onsemi NTH4L075N065SC1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | NTH4L075N065SC1 |
| EBEE Parça No. | E85209036 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>20 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
20 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $8.7320 | $ 8.7320 |
| 10+ | $7.4315 | $ 74.3150 |
| 30+ | $6.6398 | $ 199.1940 |
| 90+ | $5.9749 | $ 537.7410 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | onsemi NTH4L075N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 57mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 74W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.196nF | |
| Gate Charge(Qg) | 164nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
20 Stock for Shipping Fast
20 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $8.7320 | $ 8.7320 |
| 10+ | $7.4315 | $ 74.3150 |
| 30+ | $6.6398 | $ 199.1940 |
| 90+ | $5.9749 | $ 537.7410 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
